特許
J-GLOBAL ID：200903003602808488
熱発電素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-348962
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204572
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 p型半導体及びn型半導体を構成する材料を選ばず、接合強度に優れた熱発電素子を得ることができる熱発電素子の製造方法を提供する。【構成】 p型半導体の原料粉末11からなる母粒子13の周囲にCuOの子粒子15を付着させてp型カプセル粒子16を形成すると共に、n型半導体の原料粉末12からなる母粒子14の周囲にCuOの子粒子15を付着させてn型カプセル粒子17を形成し、一の成形型内に上記p型カプセル粒子16とn型カプセル粒子17とを分割して装入後、焼結成形するものである。
請求項（抜粋）：
p型半導体の原料粉末からなる母粒子の周囲にCuOの子粒子を付着させてp型カプセル粒子を形成すると共に、n型半導体の原料粉末からなる母粒子の周囲にCuOの子粒子を付着させてn型カプセル粒子を形成し、一の成形型内に上記p型カプセル粒子とn型カプセル粒子とを分割して装入後、焼結成形してp型半導体とn型半導体とを直接接合するようにしたことを特徴とする熱発電素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 35/14
, C01B 33/06
, H01L 35/34
