特許
J-GLOBAL ID：200903003604511075
CVD成膜装置およびCVD成膜方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178169
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067693
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 Al/Cu積層膜を高スループットでしかも装置の大型化をもたらさずに得ることができるCVD成膜装置およびCVD成膜方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハWが収容されるチャンバー1と、チャンバー1内に設けられた半導体ウエハWを載置するためのサセプター2と、チャンバー1内にAl原料を導入するAl原料供給系20と、チャンバー1内にCu原料を導入するCu原料供給系40とを具備する装置を用い、チャンバー1内で、半導体ウエハWに対し、Al原料によるAl膜のCVD成膜とCu原料によるCu膜のCVD成膜を独立して行う。
請求項（抜粋）：
被処理体が収容されるチャンバーと、前記チャンバー内に設けられた被処理体を載置するための載置台と、前記チャンバー内にAl原料を導入するAl原料供給系と、前記チャンバー内にCu原料を導入するCu原料供給系と、を具備し、前記チャンバー内で、前記被処理体に対し、Al原料によるAl膜のCVD成膜と、Cu原料によるCu膜のCVD成膜を独立して行うことを特徴とするCVD成膜装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/285 C
, C23C 16/06
