特許

J-GLOBAL ID：200903003608182394

紫外線センサおよびその製造方法

発明者： 三浦 規之
出願人/特許権者： OKIセミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 金倉 喬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-011907
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176835
出願日： 2008年01月22日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】UV-A波とUV-B波との2つの波長領域の紫外線量を分離して検出することが可能な紫外線センサを提供する。【解決手段】紫外線センサが、絶縁層上の第1のシリコン半導体層に形成された、P型の不純物を高濃度に拡散させたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させたN型高濃度拡散層とを、第1のシリコン半導体層より厚さの薄い第2のシリコン半導体層に、P型およびN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した一対のフォトダイオードと、第1および第2のシリコン半導体層上に形成された層間絶縁膜と、一方のフォトダイオード上の層間絶縁膜上に形成された、UV-A波以上の波長領域の光を透過させるシリコン窒化膜からなるフィルタ膜と、他方のフォトダイオード上の層間絶縁膜、およびフィルタ膜を覆う、UV-B波以上の波長領域の光を透過させる封止層とを備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁層上の第1のシリコン半導体層に形成された、P型の不純物を高濃度に拡散させたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させたN型高濃度拡散層とを、前記第1のシリコン半導体層より厚さの薄い第2のシリコン半導体層に、P型およびN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した一対のフォトダイオードと、 前記第1および第2のシリコン半導体層上に形成された層間絶縁膜と、 一方の前記フォトダイオード上の前記層間絶縁膜上に形成された、UV-A波以上の波長領域の光を透過させるシリコン窒化膜からなるフィルタ膜と、 他方の前記フォトダイオード上の前記層間絶縁膜、および前記フィルタ膜を覆う、UV-B波以上の波長領域の光を透過させる封止層と、を備えたことを特徴とする紫外線センサ。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L31/10 A ,  H01L21/31 B

Fターム (22件)：

5F045AA03 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AF08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049PA05 ,  5F049PA18 ,  5F049RA03 ,  5F049RA04 ,  5F049SS07 ,  5F049SZ07 ,  5F049SZ08 ,  5F049WA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体紫外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309363   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 集積化フォトセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-232972   出願人：株式会社デンソー