特許
J-GLOBAL ID：200903003610001640
高周波集積回路素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-055686
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268473
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 一つのシリコン基板上に高周波増幅素子と表面弾性波素子を作製する高周波集積回路素子にあって、パッケージ後の大きさも小型化することができる樹脂封止の可能な高周波集積回路素子を提供する。【構成】 表面弾性波素子が作製された誘電体薄膜2と、高周波増幅素子が作製された半導体薄膜3とが形成されたシリコン基板1上に、前記誘電体薄膜と半導体薄膜の内少なくとも誘電体薄膜の上部に空間を有するガラス基板1が接合されていることを特徴とする高周波集積回路素子。
請求項（抜粋）：
表面弾性波素子が作製された誘電体薄膜と、高周波増幅素子が作製された半導体薄膜とが形成されたシリコン基板上に、前記誘電体薄膜と半導体薄膜の内少なくとも誘電体薄膜の上部に空間を有するガラス基板が接合されていることを特徴とする高周波集積回路素子。
IPC (2件)：
H03H 9/25
, H01L 23/12 301
