光起電力素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山田義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-176366
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038127
出願日： 1993年07月16日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【構成】ガラス基板12上にNiの薄膜導電体14,炭化シリコンの薄膜半導体16およびAlの薄膜導電体18を順に積層形成する。入射光を薄膜導電体14で吸収し、電子を励起する。励起された電子は、光から受け取った運動量,薄膜半導体16内部の電界等によって、薄膜導電体18に移動する。薄膜導電体18に到達した電子は、端子20,外部負荷および端子22を通じて光入射側の薄膜導電体14に戻る。これによって光起電力が生じる。【効果】簡単な構造で光電変換効率の高い光起電力素子が得られる。

請求項（抜粋）：