特許

J-GLOBAL ID：200903003616592801

多層配線の製造方法

発明者： 山田 義明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253254
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094990
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】WF6 ガスを原料とした化学気相成長法によるWの全面成長でスルーホールを埋込む際、下層のAlがフッ化されるのを防ぐ。またWをエッチバックする際、Alの腐食を防ぐ。【構成】第1のAl配線をTi13,TiN14,Al-Cu合金15,TiW合金16の積層構造で形成した後、プラズマ酸化膜17で層間絶縁膜を形成しスルーホールを開口する。次にTi18,TiN19をスパッタリングにより形成した後、W20を化学気相成長法により全面成長する。次にSF6 ガスでW20をエッチングし、次いで、Cl2 ガスでTiN19,Ti18をエッチングし、スルーホールを金属で埋め込む、次にAl-Cu合金121で第2のAl配線を形成する。

請求項（抜粋）：

第1のアルミニウム配線を形成する工程、層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜に前記第1のアルミニウム配線に達する開口部を形成する工程、および金属のハロゲン化物を原料とする化学気相成長法により金属を全面成長する工程を含む多層配線の製造方法において、前記第1のアルミニウム配線の少なくとも上層にアルミニウム以外の金属が積層されていることを特徴とする多層配線の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-243431
  
• 特開昭62-206852
  
• 特開平3-198364
  
• 特開昭63-043349