特許

J-GLOBAL ID：200903003622648630

パワーMOSFETスイッチのゲートドライブ回路

発明者： ケネス ジョン ティム
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205099
公開番号（公開出願番号）：特開平8-065125
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【課題】 パワーMOSFETスイッチのゲートドライブの装置及び方法を提供する。【解決手段】 MOSFETを駆動する高機能分離ゲートドライブ回路を開示する。この回路においては、MOSFETプルダウン素子が使用されて、通常低いゲート放電インピーダンスは提供され、制御されたスイッチのターンオフ速度は非常に速く、全般的なゲートドライブ回路に散逸するパワーは減少される。また、この回路にはより優れているオフタイムノイズ免疫性を有する。

請求項（抜粋）：

ゲートとソースとドレインとの電極を有するパワーMOSFET(Q1)に対するゲートドライブにおいて、パワーMOSFETにソース-ゲート電圧を供給し、キャパシタンス(Cin1)をチャージしてパワーMOSFETのソース-ゲート電極を分流するために接続される2次巻き線を含むドライブ変成器(T1)を有し、このドライブ回路においては、ゲートとソースとドレインとの電極を有するドライブMOSFET(Q2)を含み、それは2次巻きに接続され、さらにパワーMOSFETのゲート電圧をクランプし、キャパシタンスをディスチャージしてパワーMOSFETのソース-ゲート電極を分流するために接続され、動作し、ドライブMOSFETの導電性を制御し、このドライブMOSFETのソース電極を2次巻き線に接続させるために、接続された2次巻き線により生かしたドライブ回路と、ドライブMOSFETのソース-ゲートを分流するキャパシタンス(Cin2)とを有することを特徴とするパワーMOSFET(Q1)のゲートドライブ回路。

IPC (3件)：

H03K 17/687 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 19/017

FI (2件)：

H03K 17/687 D ,  H03K 19/00 101 F