特許
J-GLOBAL ID：200903003623164351
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小堀 益 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147453
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 マルチビーム半導体レーザ装置において、簡単な構成でボンディングパッドからの漏れ電流を抑えて互いに光出力の変動を生じないようにすること。【構成】 半導体基板1と、この半導体基板1上に少なくとも第一導電型の第一のクラッド層と活性層と第二導電型の第二のクラッド層と第二導電型のコンタクト層の半導体層2が順次積層され、コンタクト層上に形成された複数の分離された電極4a〜fから個別に電流を注入する半導体レーザ装置において、電極4a〜fが互いに結線されていない配線5a〜fにより、半導体層2のコンタクト層上にコンタクト層と絶縁膜3で分離されたボンディングパッド6a〜fと接続されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に少なくとも第一導電型の第一のクラッド層と活性層と第二導電型の第二のクラッド層と第二導電型のコンタクト層の半導体層が順次積層され、前記コンタクト層上に形成された複数の分離された電極から個別に電流を注入する半導体レーザ装置において、前記電極が互いに結線されていない配線により、前記コンタクト層上に前記コンタクト層と絶縁膜で分離されたボンディングパッドと接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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