特許

J-GLOBAL ID：200903003624174091

CMOS半導体素子中の二次元ポテンシャル分布を測定する方法及び二次元ドーパント分布を解析する方法

発明者： ラウ・ヴォルフ-ディーター
出願人/特許権者： イーハーペー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・イノベーションズ・フォー・ハイ・パフォーマンス・ミクロエレクトロニクス・インスティトゥート・フューア・イノヴァティーヴェ・ミクロエレク
代理人 (1件)： 江崎 光史 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-565406
公開番号（公開出願番号）：特表2002-522913
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2002年07月23日
要約：

【要約】本発明は、CMOS半導体素子中の二次元ポテンシャル分布を測定して二次元ドーパント分布を解析する方法に関する。本発明の課題は、CMOS半導体素子中の二次元ポテンシャル分布を測定して二次元ドーパント分布を解析する方法を提供することにある。この方法では、二次元的なドーパント分布及びその二次元的なポテンシャル分布を直接表示することが可能になる。本発明の方法は、透過型電子顕微鏡内で電子ホログラフィー、特にオフアクシスホログラフィーを使用することを基礎にする。この電子ホログラフィーは、透過型電子顕微鏡内での位相と電子波の二次元測定を可能にする。この位相の生成は、半導体構造中のpn接合による空乏層内のポテンシャル分布に完全に比例する。

請求項（抜粋）：

CMOS半導体素子中の二次元ポテンシャル分布を測定して二次元ドーパント分布を解析する方法において、電子波の位相が、電子ホログラフィーを用いて透過型電子顕微鏡内で測定され、この場合、横方向の最小分解能が、 nm 領域内にあることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  G01N 23/04 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/00

FI (5件)：

G01N 23/04 ,  H01L 21/66 V ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 29/00 ,  H01L 27/08 321 Z

Fターム (15件)：

2G001AA03 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001DA09 ,  2G001GA06 ,  2G001HA13 ,  2G001KA11 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA10 ,  4M106AB01 ,  4M106BA02 ,  4M106CB02 ,  5F048AA00 ,  5F048AC03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 物体像を再生する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-281293   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 特開昭64-065762
  
• 特開平1-134962
  
• 電子線分析装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053402   出願人：株式会社日立製作所