半導体光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-142590
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326508
出願日： 1996年06月05日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】窒化物半導体デバイスのp電極の低接触抵抗化。【解決手段】炭素添加AlNの薄層またはこれを含む超格子層をp側金属電極の近傍に設ける。【効果】正孔がAlN層から隣接する結晶層に移動してこれらの層の正孔濃度を高め、もって低接触抵抗を実現する。

請求項（抜粋）：

発光層を有する第1半導体領域と、該第1半導体領域上に積層された複数の半導体層からなる第2半導体領域と、該第2半導体領域上に接合された金属電極層とを含み、上記第1半導体領域及び第2半導体領域はIII-V族化合物半導体により形成され、該第2半導体領域は少なくともAl、Nを含む第1半導体層と、該第1半導体層よりAl組成比の低い第2半導体層からなり、且つ該第1半導体層にはCが添加されていることを特徴とする半導体発光素子。

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