特許
J-GLOBAL ID：200903003628213148
電子状態シミュレーション方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-194774
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021259
出願日： 2006年07月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】電子状態シミュレーションにおいて、一般的に精度の高い計算手法は計算量が多くなり、計算量が少ない計算手法は精度が劣る。既存の計算方法では精度を保つことと計算量を減じることは両立していないという課題があった。【解決手段】シュレーディンガー方程式によって決定される物理量を用いてポテンシャル作用空間領域を割り当て、割り当てた空間領域に応じて異なる表現のポテンシャルを用いることによって電子状態シミュレーションの高速化を図る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子状態シミュレーションにおいて、シュレーディンガー方程式のハミルトニアンを構成するポテンシャルをポテンシャル作用空間領域に応じて異なる表現のポテンシャルを用いることによって電子状態シミュレーションを高速化する方法であって、
シュレーディンガー方程式によって決定される物理量を用いて、表現の異なるポテンシャルを割り当てる空間領域を指定する第1の工程と、
指定された空間領域ごとにポテンシャルを計算する第2の工程と、
前記第2の工程で求めたポテンシャルを用いてシュレーディンガー方程式を解くことにより電子状態のシミュレーションを行う第3の工程とを含むことを特徴とする電子状態シミュレーション方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G06F19/00 110
, G06F17/50 638
, G06F17/50 612A
