特許
J-GLOBAL ID:200903003630393692

AlGaAs系化合物半導体層用エッチング液、エッチング方法および半導体基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-430905
公開番号(公開出願番号):特開2005-191285
出願日: 2003年12月25日
公開日(公表日): 2005年07月14日
要約:
【課題】 エッチング層が酸化されにくく、かつエッチングにより段差を形成する場合においても、形状やエッチング幅の制御が容易であるAlGaAs系化合物半導体層用のエッチング液、エッチング方法および段差を有する半導体基板の提供。【解決手段】 フッ化水素酸および錯化剤を含有する溶液からなり、AlxGa1-xAs(0≦x<0.45)からなる第1の化合物半導体層と、AlxGa1-xAs(0.45≦x≦1)からなる第2の化合物半導体層とを有するAlxGa1-xAs(0≦x≦1)系化合物半導体層の前記第2の化合物半導体層を選択的にエッチングする。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
フッ化水素酸および錯化剤を含有する溶液からなる、AlxGa1-xAs(0≦x≦1)系化合物半導体層用エッチング液。
IPC (2件):
H01L21/308 ,  H01L33/00
FI (2件):
H01L21/308 C ,  H01L33/00 A
Fターム (9件):
5F041CA36 ,  5F041CA74 ,  5F043AA03 ,  5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043BB07 ,  5F043BB10 ,  5F043FF05 ,  5F043GG05
引用特許:
出願人引用 (1件)

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