特許

J-GLOBAL ID：200903003630393692

AlGaAs系化合物半導体層用エッチング液、エッチング方法および半導体基板

発明者： 小池 佳代 ,  望月 多恵 ,  藤井 克司
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430905
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191285
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 エッチング層が酸化されにくく、かつエッチングにより段差を形成する場合においても、形状やエッチング幅の制御が容易であるAlGaAs系化合物半導体層用のエッチング液、エッチング方法および段差を有する半導体基板の提供。【解決手段】 フッ化水素酸および錯化剤を含有する溶液からなり、AlxGa1-xAs(0≦x<0.45)からなる第1の化合物半導体層と、AlxGa1-xAs(0.45≦x≦1)からなる第2の化合物半導体層とを有するAlxGa1-xAs(0≦x≦1)系化合物半導体層の前記第2の化合物半導体層を選択的にエッチングする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

フッ化水素酸および錯化剤を含有する溶液からなる、AlxGa1-xAs(0≦x≦1)系化合物半導体層用エッチング液。

IPC (2件)：

H01L21/308 ,  H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/308 C ,  H01L33/00 A

Fターム (9件)：

5F041CA36 ,  5F041CA74 ,  5F043AA03 ,  5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043BB07 ,  5F043BB10 ,  5F043FF05 ,  5F043GG05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331498   出願人：松下電子工業株式会社