特許
J-GLOBAL ID:200903003631214708

成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-334383
公開番号(公開出願番号):特開2003-138379
出願日: 2001年10月31日
公開日(公表日): 2003年05月14日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、1つの電力供給源を用いて複数の3次元容器に対し同時に均等にプラズマ処理を行うことのできる成膜装置を提供することを目的とする。。【解決手段】 3次元容器の表面にCVD法により薄膜を形成させる装置において、成膜チャンバーが、内部に収容する容器形状のスペースを複数設けた導電材料よりなる外部電極本体と、該外部電極本体の上部に設置される導電材料からなる外部電極板と、該外部電極本体の下部に設置され排気口を持つ底蓋と、該底蓋の上に容器保持部品を配置してなり、かつ内部電極が底蓋を通して該容器保持部品により保持されている各容器内部に挿入することを特徴とする成膜装置。
請求項(抜粋):
3次元容器の表面にCVD法により薄膜を形成させる装置において、成膜チャンバーが、内部に収容する容器形状のスペースを複数設けた導電材料よりなる外部電極本体と、該外部電極本体の上部に設置される導電材料からなる外部電極板と、該外部電極本体の下部に設置され排気口を持つ底蓋と、該底蓋の上に容器保持部品を配置してなり、かつ内部電極が底蓋を通して該容器保持部品により保持されている各容器内部に挿入することを特徴とする成膜装置。
IPC (2件):
C23C 16/50 ,  B65D 1/09
FI (3件):
C23C 16/50 ,  B65D 1/00 B ,  B65D 1/00 C
Fターム (18件):
3E033AA01 ,  3E033BA18 ,  3E033CA16 ,  3E033DA02 ,  3E033DA08 ,  3E033DB01 ,  3E033DD01 ,  3E033EA10 ,  3E033FA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA15 ,  4K030FA01 ,  4K030GA01 ,  4K030KA14 ,  4K030LA24
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭62-083464
  • 特開昭62-083464

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