特許
J-GLOBAL ID:200903003631979500

電解めっき装置及び電解めっき方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-349068
公開番号(公開出願番号):特開2006-152421
出願日: 2004年12月01日
公開日(公表日): 2006年06月15日
要約:
【課題】 初期の表面状態やめっきの進行等によって分極曲線が変わっても、常に一定の膜質のめっき膜を安定して形成することができるようにする。【解決手段】 アノード134と、基板の表面に形成されめっきの際にカソードとなる導電層との間で三電極系を構成する参照電極140と、導電層のカソード電位を参照電極140の電位を基準として制御するポテンショスタット144を有する。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
アノードと、基板の表面に形成されめっきの際にカソードとなる導電層との間で三電極系を構成する参照電極と、 前記導電層のカソード電位を前記参照電極の電位を基準として制御するポテンショスタットを有することを特徴とする電解めっき装置。
IPC (4件):
C25D 17/10 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 ,  C25D 21/12
FI (4件):
C25D17/10 Z ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 K ,  C25D21/12 A
Fターム (9件):
4K024AA09 ,  4K024BB12 ,  4K024BC01 ,  4K024CA05 ,  4K024CB08 ,  4K024CB21 ,  4K024CB24 ,  4K024EA06 ,  4K024GA16

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