特許

J-GLOBAL ID：200903003632772763

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 荒井 千広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193376
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275626
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 RIEなどによる加工を要する場合も、基板露出による例えばRIEダメージによる特性変動のおそれ等の問題を解決でき、かつベース幅のセルフアラインによる形成を可能とした横型バイポーラートランジスタ装置の製造方法の提供及び耐圧性を向上させた横型バイポーラートランジスタ装置の提供。【構成】 ?@半導体基板1に形成された不純物拡散領域により横型バイポーラートランジスタが構成されている半導体装置において、バイポーラートランジスタのベース部分BA上に絶縁材Mを有するもの。?A半導体基板1に不純物拡散領域を形成して横型バイポーラートランジスタを形成する半導体装置の製造方法において、バイポーラートランジスタの形成部分、又はそのベース部分BAを形成すべき部分に対応する基板部分上にマスクM,P1を形成し、その後不純物注入を行う方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された不純物拡散領域により横型バイポーラートランジスタが構成されている半導体装置において、バイポーラートランジスタのベース部分上に絶縁材を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 L