特許
J-GLOBAL ID：200903003637200784

半導体装置

発明者：
北川 勝彦

北川 勝彦 について

, 
斉藤 公英

斉藤 公英 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078781
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274100
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 平坦化膜としてBPSG膜を採用し、ここにコンタクトホールを形成すると、不純物濃度の分布によりコンタクトホールにひさしができ、Ti/TiN/Wプラグではボルケーノが発生し、Ti/TiN/Al配線ではステップカバレージが悪化する。【解決手段】 半導体基板21には拡散領域22が形成され、この上にはゲート絶縁膜、TEOS膜、BPSG膜等が積層され、このBPSG膜24の上に更に不純物注入阻止膜25を形成する。一般に拡散領域22のコンタクト抵抗の低減を目的として、コンタクトホール26にイオンを注入するが、この不純物注入阻止膜25は、この不純物が下のBPSG膜に到達することを阻止し、且つBPSG膜のエッチングレートよりも早い材質にする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された拡散領域上の絶縁膜上に形成されたコンタクトホールであり、コンタクトホール内の表面および前記半導体基板の表面に、Ti、TiNが順に形成され、この上にWまたはAlが埋め込まれて成る半導体装置において、前記コンタクトホールを囲む絶縁膜は、絶縁膜の平坦化を主目的としてBPSG膜が被覆され、このBPSG膜の表面には、前記拡散領域のコンタクト抵抗を下げるために注入される不純物がBPSG膜に注入されないように不純物注入阻止膜が設けられていることを特徴とした半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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