特許

J-GLOBAL ID：200903003637481899

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 井原 久典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-313674
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152819
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】隣接したフォトダイオードから信号電荷が入り込むことによって生じる、混色や暗電流を低減することが可能となる固体撮像装置を提供する。【解決手段】第1導電型の第1の半導体領域201とこの第1の半導体領域201内に形成された第2導電型の第2の半導体領域203によって構成される光電変換部を複数有し、前記第1の半導体領域201の表面にゲート絶縁膜206を介して形成されたゲート電極205を有する固体撮像装置において、複数の前記光電変換部のうち、選択された前記光電変換部を構成する前記第2の半導体領域203の、前記第1の半導体領域201表面に対して内部側の領域に、前記第1の半導体領域201よりも高濃度な第1導電型のバリア領域204が形成されたことを特徴とする固体撮像装置である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体領域とこの第1の半導体領域内に形成された第2導電型の第2の半導体領域によって構成される光電変換部を複数有し、前記第1の半導体領域の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有する固体撮像装置において、 複数の前記光電変換部のうち、選択された前記光電変換部を構成する前記第2の半導体領域の、前記第1の半導体領域表面に対して内部側の領域に、前記第1の半導体領域よりも高濃度な第1導電型のバリア領域が形成されたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 V ,  H01L31/10 A

Fターム (28件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5C024CX03 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024EX52 ,  5C024GY31 ,  5F049MA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049QA15 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049TA13 ,  5F049WA09