特許

J-GLOBAL ID：200903003643360785

プラズマリアクターの内部表面上の導電性堆積物の有害な影響を抑制する方法

発明者： バーニー コーエン ,  テッド グオ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033429
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237779
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】リアクター内面上の電気的導電性堆積物によって引き起こされる、RF電力のプラズマリアクターへの結合、及びリアクター内のプラズマの点火について、有害な影響を抑制する方法を提供する。【解決手段】この方法は、電気的導電性堆積物の膜上にリアクターの内面上に電気的絶縁材料の膜を堆積するステップを含む(ステップ100〜108)。この被覆膜は電気的導電性堆積物の膜の負の効果を抑制する。電気的導電性堆積物は代表的には金属、半導体材料の何れか、或いはその双方である。それらはリアクター内の半導体製造物ウェハ上で行われるエッチング処理の結果としてチャンバの内面に通常堆積される。導電性堆積物上に堆積される電気的絶縁材料は二酸化シリコンが好ましい。リアクターの内面上に堆積された絶縁材料の量が導電性堆積物の悪影響を実質的に除くのに充分になった後に、この堆積ステップが停止される。

請求項（抜粋）：

リアクターの内面上の電気的導電性堆積物によって引き起こされる、プラズマリアクターへのRF結合及びリアクター内でのプラズマの発生に関する有害な影響を抑制する方法において、前記方法は、電気的導電性堆積物の膜上に前記リアクターの内面上に電気的絶縁材料の膜を堆積するステップを有する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205