特許

J-GLOBAL ID：200903003647769840

圧電材料及び積層型圧電素子の製造方法

発明者： 久保田 弘貴 ,  安田 悦朗 ,  角谷 篤宏
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  株式会社日本自動車部品総合研究所
代理人 (3件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳 ,  高橋 祥起
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-088039
公開番号（公開出願番号）：特開2006-265059
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】低温焼成が可能であり、低温で焼成しても優れた変位量を示すことができる圧電材料及び積層型圧電素子の製造方法を提供すること。【解決手段】一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2WB1SbB2)qO3で示される化合物1モルに対して、Sb2O3又はSb2O5を0.07モル%以下含有する圧電材料(MaはBa、La、Sr、及びCeから選ばれる1種以上)である。また、圧電層11と内部電極層21、22とを交互に積層してなる積層型圧電素子1の製造方法である。該製造方法においては、圧電層11の圧電材料として、上記一般式(1)の化合物とSb2O3及び/又はSb2O5とを含有する材料を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2WB1SbB2)qO3で示される化合物と、Sb2O3及び/又はSb2O5とを含有する圧電材料(ただし、MaはBa、La、Sr、及びCeから選ばれる1種以上)であって、 該圧電材料は、上記一般式(1)で表される化合物1molに対してSb2O3及び/又はSb2O5を0.7mol%以下含有し、 0.04≦x≦0.1 0.44≦y≦0.48 0≦z≦0.01 0≦p≦0.02 0.003≦q≦0.01 0≦B1≦0.34 0≦B2≦0.5 であることを特徴とする圧電材料。

IPC (4件)：

C04B 35/49 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/083

FI (6件)：

C04B35/49 F ,  C04B35/49 D ,  H01L41/18 101E ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 S

Fターム (13件)：

4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA32 ,  4G031AA34 ,  4G031BA10 ,  4G031CA08 ,  4G031GA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 圧電材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-138529   出願人：株式会社日本自動車部品総合研究所, 株式会社デンソー