プラズマCVD装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶山佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-093903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263255
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】【構成】プラズマCVD装置において、Si3 N4 膜用のSi源として、ヘキサメチルジシラザン,(CH3 )3 SiNHSi(CH3 )3 を使用する。液状HMDSに窒素ガスを吹き込むことにより気化させ、この気化HMDSを成膜反応に使用する。N源としてはNH3 ,N2 OまたはN2 H4 ガスを使用する。【効果】 Si3 N4 膜用のSi源として液状HMDSを使用するので、従来のモノシランガスに比べて安全性が飛躍的に向上する。また、モンシランガスに比べてHMDSを用いて成膜したSi3 N4 膜は段差被覆性の点でも優れている。更に、HMDSはモノシランガスほど酸化性ではないので、Si-O結合を作ることが少ない。

請求項（抜粋）：

接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマCVD装置において、Si3 N4 膜用のSi源として、ヘキサメチルジシラザン,(CH3 )3 SiNHSi(CH3 )3 を使用することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 , C23C 16/34 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-218578
特開昭60-089575
特開昭62-089874

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