特許

J-GLOBAL ID：200903003653703303

膜厚測定方法

発明者： 渡辺 洋直
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162575
公開番号（公開出願番号）：特開平7-174546
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体工程の基板上の凹凸パターン、段差を有する膜又は膜厚が厚い膜の膜厚を正確に測定する。【構成】 低加速電圧を印加した電子ビーム15を基板11の表面と膜13とに照射する。基板11の表面からの反射電子14aが反射電子検出器16に到達する飛行距離は、膜13の表面からの反射電子14aが到達する飛行距離と比べて膜の厚さのおよそ2倍分だけ長くなる。したがって、この飛行距離の違いに伴う飛行時間差を利用して、飛行時間差をオシロスコープで測定し、電子速度から膜13の膜厚を正確に測定する。

請求項（抜粋）：

電子ビーム照射処理と膜厚計測処理とを行ない、基板上に形成された膜の膜厚を測定する膜厚測定方法であって、電子ビーム照射処理は、所定の位置から電子ビームを基板の表面及び基板上の膜に照射し、基板の表面と基板上の膜とでそれぞれ反射した反射電子を所定位置で検出する処理であり、膜厚計測処理は、両反射電子の飛行距離の差を検出し、その飛行距離の差を演算処理して膜の厚さを計測する処理であることを特徴とする膜厚測定方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-243351
  
• 特開昭62-289704
  
• 特開平2-276904