半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021469
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223632
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】エレクトロマイグレーション耐性の高い、高信頼性AlまたはAl合金を備えた半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板上に、チタン及び/またはその窒化物からなるバリアメタル層とAlまたはAl合金からなる配線層が形成された半導体装置において、AlまたはAl合金からなる配線層のX線回折による(111)面のピークのロッキングカーブの半値幅が1.5度以下であることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、チタン及び/またはその窒化物からなるバリアメタル層と、AlまたはAl合金からなる配線層が形成された半導体装置において、AlまたはAl合金からなる配線層の直下にはチタン層が形成され、AlまたはAl合金からなる配線層のX線回折による(111)面のピークのロッキングカーブの半値幅が1.5度以下であることを特徴とする半導体装置。

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