特許
J-GLOBAL ID：200903003655305038
平面度の高いウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004708
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204464
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【目的】 表面及び裏面共に平面度の高いウェーハを得る。【構成】 鉛直保持したウェーハの表裏両面から得られた光学干渉縞に基づきウェーハ表裏両面の形状を算出し、基準となる表面よりも隆起している表裏両面の被加工部をプラズマエッチングにより除去する。表面又は裏面が予め定まっていないウェーハをエッチングする場合、除去される被加工部が多い側を裏面とし、大出力のプラズマを照射する。裏面のエッチングに際しては、表面側よりも大きなスキャンピッチで裏面側をプラズマエッチングすると加工速度が速くなる。【効果】 平面度が高い表面に各種機能層が形成されることから、高信頼性の半導体デバイスを形成される。後工程で真空チャック等によって裏面側が吸着保持される場合にあっても、作り込まれるデバイスに悪影響を及ぼすような変形がウェーハに生じることがない。
請求項（抜粋）：
鉛直保持したウェーハの表裏両面から得られた光学干渉縞に基づきウェーハ表裏両面の形状を算出し、基準となる表面よりも隆起している表裏両面の被加工部をプラズマエッチングにより除去することを特徴とする平面度の高いウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 621
, H01L 21/3065
H01L 21/304 621 Z
, H01L 21/302 E
