特許
J-GLOBAL ID:200903003656231798
高耐久性有害物質除去エレメント
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-369915
公開番号(公開出願番号):特開2002-172335
出願日: 2000年12月05日
公開日(公表日): 2002年06月18日
要約:
【要約】【課題】光反応性半導体の光触媒能および吸着剤の吸着能によって悪臭や細菌などの有害物質を除去可能であり、かつ所定の圧力損失を有する通気性基材を併用することにより、その有害物質除去性能の効果の持続性をも高めた高耐久性有害物質除去エレメントを提供することにある。【解決手段】少なくとも光反応性半導体および吸着剤を含有してなるコルゲート構造体の少なくとも一方の開孔断面に、JIS B 9908に準じて面風速5.3cm/秒で測定された圧力損失(P)が0.5Pa≦P≦40Paの範囲内にある通気性基材を積層してなることを特徴とする高耐久性有害物質除去エレメント。通気性基材に抗菌防黴加工や帯電加工を施しても良い。
請求項(抜粋):
少なくとも光反応性半導体および吸着剤を含有してなるコルゲート構造体の少なくとも一方の開孔断面に、JIS B 9908に準じて面風速5.3cm/秒で測定された圧力損失(P)が0.5Pa≦P≦40Paの範囲内にある通気性基材を積層してなることを特徴とする高耐久性有害物質除去エレメント。
IPC (7件):
B01J 35/04 301
, A61L 9/01
, B01D 53/86
, B01J 20/28
, B01J 35/02 ZAB
, A61L 9/00
, A61L 9/16
FI (7件):
B01J 35/04 301 D
, A61L 9/01 M
, B01J 20/28 Z
, B01J 35/02 ZAB J
, A61L 9/00 C
, A61L 9/16 D
, B01D 53/36 J
Fターム (56件):
4C080AA07
, 4C080AA10
, 4C080BB02
, 4C080BB05
, 4C080MM02
, 4C080NN04
, 4C080NN05
, 4C080QQ03
, 4D048AA21
, 4D048AA22
, 4D048AB03
, 4D048BA07X
, 4D048BA13X
, 4D048BA16Y
, 4D048BA19Y
, 4D048BA27Y
, 4D048BA41X
, 4D048BB02
, 4D048CC21
, 4D048CC63
, 4D048DA03
, 4D048DA20
, 4D048EA01
, 4D048EA04
, 4G066AA15B
, 4G066AA18B
, 4G066AB30B
, 4G066AC26C
, 4G066BA05
, 4G066CA02
, 4G066CA20
, 4G066FA12
, 4G066FA33
, 4G069AA03
, 4G069BA04A
, 4G069BA04B
, 4G069BA07A
, 4G069BA07B
, 4G069BA08A
, 4G069BA08B
, 4G069BA29A
, 4G069BA29B
, 4G069BA48A
, 4G069BB04A
, 4G069BC35A
, 4G069BC43A
, 4G069BC60A
, 4G069CA01
, 4G069CA11
, 4G069CA17
, 4G069EA10
, 4G069EA23
, 4G069EA27
, 4G069EB14Y
, 4G069EB17Y
, 4G069EE02
引用特許: