電子ビーム露光方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217208
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055124
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の製造に用いられるマスク基板製造で使用される電子ビーム露光装置のその露光方法に関するもので、マスク基板上に蓄積される電荷の影響でビーム照射位置がずれることを防ぐ方法を提供することを目的とする。【構成】前記目的のために本発明は、マスク基板表面に蓄積された電荷を検出し、その電荷量に対応したビームの偏向歪量を求め、該歪量の分ビーム照射の偏向を補正するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造に使用されるマスク基板表面のレジストに電子ビームを照射してマスクパターンを描いていく電子ビーム露光方法において、(a)マスク基板表面の電荷量を検出する手段と、(b)前記検出した電荷量に対応する電子ビームの偏向歪の値を求める手段と、(c)前記偏向歪の値に応じて電子ビームの照射方向を補正する手段とを有し、前記電荷量に応じて電子ビームを所定の目標位置に照射するようにしたことを特徴とする電子ビーム露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504

FI (2件)：

H01L 21/30 341 D , H01L 21/30 341 E

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