特許
J-GLOBAL ID：200903003660939860
ケイ素系薄膜形成装置反応室の清浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197203
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050266
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ処理によるクリーニングの際に生じるプラズマ処理ガスの影響を取り除け、効率よくクリーニングを行なうことにより装置稼働率の低下を防止できるケイ素系薄膜形成装置反応室の清浄方法を提供する。【構成】 反応室内から不必要な膜を除去すべく、三フッ化窒素ガスによる加熱状態でプラズマクリーニングする。このような生成物の影響を取り除くために、ケイ素系薄膜形成温度以上の温度の350°Cで約1時間の熱処理する。反応室内は清浄な状態となるが、上部電極および下部電極を含む反応室内全体が剥きだしの状態になってしまう。水素化アモルファスシリコン膜をコーティングする。反応室内の圧力は、原料ガスが供給されている状態で、排気する管路に設けた自動圧力調整器により1Torrに設定する。成膜工程とほぼ同じ条件で10分間放電させることにより、反応室内の各部をコーティングする。
請求項（抜粋）：
ケイ素系薄膜形成装置の反応室内に堆積した膜を除去すべく清浄するケイ素系薄膜形成装置反応室の清浄方法において、前記反応室内にフッ素系ガスを導入するプラズマクリーニングの実施中以後に、ケイ素系薄膜形成温度以上の温度による温度処理を施すことを特徴とするケイ素系薄膜形成装置反応室の清浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/304 341
