特許

J-GLOBAL ID：200903003660981262

薄膜トランジスタ基板及び液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 山本 英明 ,  小野 記久雄 ,  白橋 和男 ,  加瀬 賢一 ,  松永 邦之 ,  安生 健二 ,  月井 教男 ,  大和田 淳一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242964
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095146
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】アルミニウムゲート電極、ゲート配線を用いたTFT基板において、信頼性の高い端子部を工程数を増やすことなく形成すること。【構成】基板10上にアルミニウムゲート配線11を端子部まで設け、端子部分を透明電極17で覆う。透明電極17と、アルミニウムゲート配線11との電気的な接続を確保する為に、信号配線を形成する導電層と同じ層181で接続する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された複数本のゲート端子と該ゲート端子に電気的に接続される複数本のゲート配線と、これと交差して配置された複数本の信号配線と、前記ゲート配線と信号配線との交点に薄膜トランジスタを配置してなる薄膜トランジスタ基板において、前記ゲート端子が、ゲート配線と同一のAl合金薄膜とその上に形成された透明電極膜とで構成され、且つ、前記透明電極膜の先端部においてこの透明電極と前記ゲート配線とが前記信号配線に用いられる導電層により電気的に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-058019
  
• 特開平2-156226
  
• 特開平4-365016
  
• 特開昭63-316084