特許
J-GLOBAL ID:200903003661029786
半導体発光素子、半導体発光装置および半導体発光素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山崎 宏
, 前田 厚司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-101257
公開番号(公開出願番号):特開2006-286710
出願日: 2005年03月31日
公開日(公表日): 2006年10月19日
要約:
【課題】 パッケージ等に取り付けたれたとき、パッケージ等の反射効率に関係なく、光取り出し効率を格段に向上させることができ、かつ、量産性に優れる半導体発光素子、その半導体発光素子を備えた半導体発光装置およびその半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 透明基板2の表面に、発光部1を取り付ける第1平面部12と、発光部1の発光層7に対して45度以上90度未満の角度をなす斜面13,14を形成する。また、斜面13に裏面電極3を形成すると共に、発光部1の表面に表面電極4を形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光を発光する発光層を含むダブルヘテロ構造を有する発光部と、
上記発光部が取り付けられた第1平面部と、上記発光層に対して45度以上90度未満の角度をなす第2平面部とを表面に有すると共に、上記発光部が出射する光に対して透明な透明基板と
を備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (14件):
5F041AA03
, 5F041AA47
, 5F041CA04
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CB36
, 5F041FF11
引用特許:
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