特許

J-GLOBAL ID：200903003662116771

変調器集積半導体レーザ

発明者： 高木 和久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-322527
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163568
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 分離抵抗を十分大きくすることのできる変調器集積半導体レーザを提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、半導体レーザ部101、変調器部102、及び半導体レーザ部101のレーザ光の導波路と変調器部102のレーザ光の導波路とを光学的に結合する高抵抗部103を配置し、高抵抗部103と半導体レーザ部101及び変調器部102の各導波路との界面がレーザ光の進行方向に対しそれぞれ斜めになるようにし、又は、半導体レーザ部101及び変調器部102の各導波路にスポットサイズ変換部をそれぞれ設けるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に配置された半導体レーザ部と、上記半導体基板上に配置され、上記半導体レーザ部が出射するレーザ光を変調する変調器部と、上記半導体レーザ部のレーザ光の導波路と上記変調器部のレーザ光の導波路とを光学的に結合し、かつ該半導体レーザ部の導波路,及び変調器部の導波路の抵抗率より高い抵抗率を有する高抵抗部とを備え、該高抵抗部は、上記半導体レーザ部の導波路,及び変調器部の導波路との界面がレーザ光の進行方向に対し斜めになるようにして設けられていることを特徴とする変調器集積半導体レーザ。