特許

J-GLOBAL ID：200903003665823215

半導体装置の製造方法

発明者： 田熊 祐一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210715
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056060
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 ダマシン等による配線パターンの形成プロセスにおいて、低コストかつ高スループットで導体膜の形成を行う。【解決手段】 基板1上に形成された配線絶縁膜2にホトリソグラフィによって、目的の配線パターンやプラグの形状に応じた凹パターン2aを形成し、薄い密着層3にて覆った後、配線絶縁膜2(密着層3)の上に、有機溶媒4aに、銅(Cu)等の導体微粒子4bを懸濁させた流動性のペースト/溶液4を全面に塗布し、ベークおよび加圧下の焼成等を施すことによって、配線絶縁膜2の表面を覆うとともに凹パターン2aに確実に充填される緻密な導体膜4cを形成し、その後、CMP等によって、配線絶縁膜2の表面が露出するように、導体膜4cを平坦に除去することにより、凹パターン2aの内部に、導体パターン4dを選択的に残存させ、配線パターンやプラグ等として機能させる。

請求項（抜粋）：

任意の溶媒に導体微粒子を懸濁させたペーストまたは溶液を絶縁膜の表面に塗布し、このペーストまたは溶液に対して、加熱処理および加圧処理の少なくとも一方を施すことにより導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/88 K