特許
J-GLOBAL ID：200903003667206221
アクティブマトリックス基板とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035235
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235353
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 アクティブマトリックス基板上に多結晶シリコンと高融点金属の硅化物との2層ゲ-ト構造を有する多結晶シリコンTFTにおいて、高融点金属の硅化物に発生するクラック及びコンタクトホ-ルの形状異常を防止することにより、ゲ-ト線の低抵抗化を実現し、高画質及び高精細の多結晶シリコンTFTを用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。【構成】 2層ゲ-ト電極の下層の多結晶シリコン膜を薄膜化し、ド-プする不純物を低濃度にする。また2層ゲ-ト電極の上層の高融点金属の硅化物を薄膜化する。【効果】 上記方法により、高融点金属の硅化物の応力を緩和することによって、高融点金属の硅化物に発生するクラック及びコンタクトホ-ル開口後に発生する層間絶縁膜の割れによるコンタクトホ-ルの形状異常を防止でき、ゲ-ト線を低抵抗化することによって高画質の液晶表示装置を提供することができる。
請求項（抜粋）：
不純物を含まない多結晶シリコン又は1×1020/cm3以下のリンを含む多結晶シリコンと、高融点金属の硅化物との2層構造をゲ-ト電極及びゲ-ト線とすることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
