特許

J-GLOBAL ID：200903003667960686

回路内蔵受光素子

発明者： 永野 弘樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122984
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303404
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】従来の回路プロセスに変更を加えることなく、高帯域な周波数特性をもち、かつ高精度なサーボが可能な低オフセット電圧の出力を可能とした回路内蔵受光素子の提供。【解決手段】第1もしくは第2の導電型の基板の上に形成された第1の導電型の埋込拡散層とその上に形成された第2の導電型の埋込拡散層とその上に堆積された第1導電型のエピタキシャル層とその上に形成された第2の導電型の拡散層よりなり、前記第1の導電型のエピタキシャル層と第2の導電型の拡散層より形成されるpn接合、及び基板と第1の導電型の埋め込み拡散層より形成されるpn接合が受光素子としてそれぞれ別の回路に接続されている。また、回路内蔵受光素子は、基板と第1の導電型の埋め込み拡散層より形成されるpn接合が複数のフォトダイオードに分割することができる。

請求項（抜粋）：

第1もしくは第2の導電型の基板の上に形成された第1の導電型の埋込拡散層と、前記第1の導電型の埋込拡散層の上に形成された第2の導電型の埋込拡散層と、前記第2の導電型の埋込拡散層の上に堆積された第1導電型のエピタキシャル層と、前記第1導電型のエピタキシャル層の上に形成された第2の導電型の拡散層と、を備え、前記第1の導電型のエピタキシャル層と前記第2の導電型の拡散層より形成されるpn接合と、前記基板と前記第1の導電型の埋め込み拡散層より形成されるpn接合と、が受光素子として、それぞれ、別の回路に接続されている、ことを特徴とする回路内内蔵受光素子。

IPC (6件)：

H01L 27/14 ,  G01B 11/00 ,  G01C 3/06 ,  G11B 7/135 ,  H01L 31/10 ,  G11B 7/09

FI (6件)：

H01L 27/14 Z ,  G01B 11/00 ,  G01C 3/06 ,  G11B 7/135 Z ,  G11B 7/09 A ,  H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-316330
  
• 特開平3-006056
  
• 特開平3-220781
  
• 特開平2-246168