特許
J-GLOBAL ID:200903003670121776
配線基板
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-050985
公開番号(公開出願番号):特開2002-252316
出願日: 2001年02月26日
公開日(公表日): 2002年09月06日
要約:
【要約】【課題】 配線基板に半導体素子を低温で強固に接着固定できるようにすること。【解決手段】 絶縁基板1の上面に、密着金属層2、第1の拡散防止層3、Auより成る主導体層4、第2の拡散防止層5、およびロウ材層6としてAuとSnとのモル比がAu:Sn=5:95〜15:85であるAu-Sn合金層が順次積層された配線導体層が形成されている。
請求項(抜粋):
絶縁基板の上面に、密着金属層、第1の拡散防止層、Auより成る主導体層、第2の拡散防止層およびAuとSnのモル比がAu:Sn=5:95〜15:85であるAu-Sn合金層が順次積層された配線導体層が形成されていることを特徴とする配線基板。
IPC (3件):
H01L 23/36
, H01L 23/14
, H05K 1/09
FI (3件):
H05K 1/09 C
, H01L 23/36 C
, H01L 23/14 R
Fターム (12件):
4E351AA09
, 4E351BB32
, 4E351BB35
, 4E351CC01
, 4E351CC03
, 4E351DD06
, 4E351DD12
, 4E351DD21
, 4E351GG02
, 5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BC06
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