特許
J-GLOBAL ID:200903003672959009

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-223877
公開番号(公開出願番号):特開平5-062983
出願日: 1991年09月04日
公開日(公表日): 1993年03月12日
要約:
【要約】【目的】 めっきバンプ工程の工数を減らす。【構成】 バンプ6をめっきして形成した後、その傘部分直下の部分を残してレジスト膜5を除去し、さらにバンプ6とレジスト膜5の残部分とをマスクとしてめっき用導電膜4を選択的にエッチする。それから、バンプ6の傘部分直下に残っていたレジスト膜5を除去する。【効果】 レジスト膜5の選択除去のためのマスク工程と導電膜4の不要部分を除去するに際してのマスク工程とが不要となって、工数が減少し、半導体装置の価格を低下させることができる。
請求項(抜粋):
半導体ウェハーの主面上に導電膜を選択的に配置する第1の工程、前記導電膜を選択的に保護膜で覆う第2の工程、前記保護膜および前記導電膜の露出部分上にめっき用導電膜を形成する第3の工程、前記めっき用導電膜上にレジスト膜を積層し、前記保護膜の窓部分直上に窓を形成してから導電物質を選択的にめっきして、バンプを形成する第4の工程、前記バンプの傘部分直下の部分を残して前記レジスト膜を除去する第5の工程、前記バンプと前記レジスト膜の残部分とをマスクとして前記めっき用導電膜を選択的にエッチする第6の工程、および、前記バンプの傘部分直下に残っていた前記レジスト膜を除去する第7の工程を備えた半導体装置の製造方法。

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