特許
J-GLOBAL ID:200903003673244364
上部反射防止膜の重合体、その製造方法およびこれを含む上部反射防止膜の組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
吉田 研二
, 石田 純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-202916
公開番号(公開出願番号):特開2006-171684
出願日: 2005年07月12日
公開日(公表日): 2006年06月29日
要約:
【課題】水に溶解されずにイマージョンリソグラフィに使用され、フォトレジストパターン形成におけるフォトレジスト膜内の光の多重干渉を防止し、フォトレジスト膜の厚さ変動によるフォトレジストパターン寸法幅の変動を抑制できる上部反射防止膜を提供する。【解決手段】特定の範囲の重量平均分子量を有する重合体を上部反射防止膜に使用する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記化学式(化1)で表示され、1,000〜1,000,000の重量平均分子量を有することを特徴とする上部反射防止膜の重合体。
IPC (6件):
G03F 7/11
, H01L 21/027
, C08F 220/18
, C08F 220/06
, C08F 222/06
, C08F 232/04
FI (6件):
G03F7/11 501
, H01L21/30 574
, C08F220/18
, C08F220/06
, C08F222/06
, C08F232/04
Fターム (26件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025DA03
, 2H025DA34
, 4J100AJ02R
, 4J100AJ03R
, 4J100AK32S
, 4J100AL03Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL26P
, 4J100AR32T
, 4J100BA11T
, 4J100BA55T
, 4J100BB07R
, 4J100BB17P
, 4J100BB18P
, 4J100BB18T
, 4J100CA03
, 4J100DA01
, 4J100JA38
, 5F046PA07
, 5F046PA11
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