特許
J-GLOBAL ID：200903003679111080
異なるしきい値電圧を持つトランジスタを用いたダイナミック論理回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196106
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107613
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】トランジスタ回路の速度を上げ、漏れ電流を減少させるため、異なるしきい値電圧を持つトランジスタを用いたダイナミック論理回路を提供する。【解決手段】好ましい論理回路の実施の形態(10)であって、事前充電相の間は事前充電電圧(VDD)に結合して事前充電され、また評価相の間は放電される、事前充電ノード(14)がある。またこの回路は、事前充電ノードに接続して前記事前充電ノードを事前充電電圧とは異なる電圧に結合する、条件付き直列放電路(22、24、16)を含む。条件付き直列放電路は、第1しきい値電圧を持つ低しきい値電圧トランジスタ(22または24)と、第1しきい値電圧より高い第2しきい値電圧を持つ高しきい値電圧トランジスタ(16)を含み、ここで高しきい値電圧トランジスタのゲートに接続する電圧は、事前充電相の間は使用不能になる。
請求項（抜粋）：
論理回路であって、事前充電相の間に事前充電電圧に事前充電し評価相の間に放電するよう結合された事前充電ノードと、前記事前充電ノードに接続して、前記事前充電ノードを前記事前充電電圧とは異なる電圧に条件付きで結合する条件付き直列放電路、を備え、前記条件付き直列放電路は、第1しきい値電圧を持ち、前記条件付き直列放電路上に導電路を形成する、低しきい値電圧トランジスタと、前記第1しきい値電圧より高い第2しきい値電圧を持ち、前記条件付き直列放電路上に導電路を形成した、高しきい値電圧トランジスタであって、前記高しきい値電圧トランジスタのゲートに接続する電圧は前記事前充電相の間は使用不能になり、前記高しきい値電圧トランジスタの前記導電路は前記事前充電相の間は導通しない、高しきい値電圧トランジスタ、を備えた、論理回路。
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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