不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241434
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087659
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】低電源電圧においても、書込動作および読出動作のマージンを確保することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1000のメモリセルアレイにおいては、2つのメモリセルトランジスタMC1aのソースとメモリセルトランジスタMC1bのソースの接続点にベースが接続するバイポーラトランジスタBT1が設けられる。バイポーラトランジスタBT1のエミッタは、メモリセルSLデコーダ132によりその電位レベルが制御される。バイポーラトランジスタBT1のコレクタは接地電位に保持される。読出動作においては、バイポーラトランジスタBT1がオン状態となるようにエミッタ電位が制御され、メモリセルトランジスタのチャネルを流れる電流がバイポーラトランジスタBT1により増幅されて読出される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される不揮発性半導体記憶装置であって、行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルの列にそれぞれ対応して設けられる複数のビット線と、前記メモリセルの行にそれぞれ対応して設けられる複数のワード線と、前記メモリセルの行に対応して設けられる複数の第1のセル選択線とを備え、前記各メモリセルは、メモリセルトランジスタを含み、前記メモリセルトランジスタは、前記半導体基板の第1導電型の主表面に形成された第2導電型のソース領域および前記第2導電型のドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに挟まれたチャネル領域と、前記チャネル領域上に酸化膜を介在して形成された電荷蓄積電極と、前記電荷蓄積電極の上方に絶縁膜を介在して形成された制御電極とを有し、前記ドレイン領域は、対応するビット線と結合し、前記制御電極は、対応するワード線により電位が制御され、前記不揮発性半導体記憶装置の読出動作において、外部からのアドレス信号に応じて、対応するワード線を選択し、選択されたビット線と選択された第1のセル選択線との間に電位差を与えるメモリセル選択手段と、対応するメモリセルトランジスタのソース領域と対応する第1のセル選択線との間にそれぞれ設けられ、前記選択されたメモリセルトランジスタの前記ソース領域と前記ドレイン領域との間を流れる電流をベース電流として増幅し、前記選択された第1のセル選択線を流れる電流量を制御するように結合される、複数のバイポーラトランジスタと、前記選択された第1のセル選択線を流れる電流値に応じて、前記選択されたメモリセル中に保持されたデータを読み出すデータ読出手段とをさらに備える、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 , G11C 16/04 , H01L 27/10 481 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 434 , H01L 27/10 481 , G11C 17/00 621 B , G11C 17/00 622 Z , H01L 29/78 371

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