特許

J-GLOBAL ID：200903003689668377

半導体基板の欠陥評価方法

発明者： 小池 康夫 ,  津田 修平 ,  奥村 信夫
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-214793
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031225
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 SIMOX法により基板内部に形成された埋め込み酸化膜中のピンホール欠陥を検出し、基板全面の広範囲のピンホール欠陥分布を簡便に評価することが可能な半導体基板の欠陥評価方法の提供。【解決手段】 ピンホール欠陥4自体は、酸素がイオン注入されずに埋め込み酸化膜が形成されていないシリコン状態にあるものであり、HF液を用いて熱酸化膜5を除去し、TMAH液を用いてエッチングを行うことで、表面シリコン活性層3と埋め込み酸化膜2が形成されていない領域がエッチングされ、エッチピット6となり、これをピンホール欠陥として観察することができる。

請求項（抜粋）：

酸素イオン注入と高温アニールによりシリコン基板内部に埋め込み酸化膜を形成させた基板における、埋め込み酸化膜中に生成したピンホール欠陥を検知してこれを評価する半導体基板の欠陥評価方法において、基板表面の熱酸化膜を除去する工程、次に基板表層のシリコン層とピンホール欠陥のシリコン部分をエッチング除去する工程、その後に前記エッチングで生じたエッチピットを検出する工程とからなる半導体基板の欠陥評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  H01L 21/76 ,  G01N 21/88

FI (4件)：

H01L 21/66 L ,  G01N 21/88 E ,  G01N 1/28 N ,  H01L 21/76 R

Fターム (16件)：

2G051AA51 ,  2G051AB04 ,  2G051CA11 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051DA07 ,  4M106AA07 ,  4M106AA13 ,  4M106AB16 ,  4M106AB17 ,  4M106BA12 ,  4M106CA45 ,  4M106CB20 ,  5F032AA03 ,  5F032AA28 ,  5F032DA43