特許
J-GLOBAL ID：200903003690599095
サファイア基板上の高性能段差型超伝導量子干渉素子およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-016414
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224311
出願日： 2003年01月24日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板上の高性能段差型SQUIDおよびそれを作製する方法を提供すること。【解決手段】 バッファ層としてCeO2を用いて、サファイア基板上にYBCO段差接合およびSQUIDが作製される。急峻な段差は、オーバーハング端部構造を有するシャドウ・マスク上にバッファ層をAr+イオン・ミリングすることによってCeO2バッファ層内に形成され、そのオーバーハング端部構造は、バッファ層内に深い急峻な段差を形成するためにミリング時間を長くすることを可能にする。段角度はAFMによって測定される場合に81°より大きい。次に、高品質YBCO膜はパルス・レーザ蒸着によってエピタキシーによって成長させられる。パターニング後、接合はRSJタイプのI-V特性を表示する。サファイア・ベースのYBCO段差SQUIDは、SQUID顕微鏡システム上に搭載される。段差技法によって作製されるSQUIDは優れた磁界変調、高画像化品質および低雑音を示す。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に段差接合を作製する方法であって、サファイア基板を準備するステップと、前記サファイア基板の上部表面にバッファ層を成長させるステップと、前記バッファ層の上部表面の所定の位置にオーバーハング端部を有するシャドウ・マスクを生成するステップと、前記バッファ層の上部表面に向けて前記シャドウ・マスクの前記オーバーハング端部にエネルギー・ビームをあてるステップと、前記エネルギー・ビームによって前記バッファ層をミリングして、前記バッファ層に段差を生成するステップと、前記段差上にYBCO層を成長させるステップとを含む方法。
IPC (2件)：
H01L 39/24 ZAA
, H01L 39/22
H01L 39/24 ZAA J
, H01L 39/22 D
4M113AA53
, 4M113AC08
, 4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113AD68
, 4M113BA01
, 4M113BA04
, 4M113BA11
, 4M113BA29
, 4M113BC04
, 4M113BC12
, 4M113CA34
