特許
J-GLOBAL ID：200903003690719414
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-161828
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031780
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ブラシスクラバやジェット水洗を用いたシリコンウエハ等の半導体基板の表面洗浄に関し、半導体基板表面上のゴミ等の異物の除去能力を高める。【構成】 回転する半導体基板1表面に接するように配置したブラシスクラバ2を螺旋状に回転させながら、温水を半導体基板1上にノズル3を用いて噴射し、半導体基板1の表面をブラシスクラバ2によりスクラバ洗浄する。また、回転する半導体基板1表面に複数のノズル3を用いて噴射水4を多方向から噴射し、半導体基板1の表面を洗浄する。更に、回転する半導体基板1の端面を、表裏同時に洗浄するブラシスクラバ2を用いてスクラバ洗浄する。
請求項（抜粋）：
回転する半導体基板表面に接するように配置したブラシスクラバを螺旋状に回転させながら、温水を該半導体基板上にノズルを用いて噴射し、該半導体基板の表面を該ブラシスクラバによりスクラバ洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 7/04
