半導体装置およびそれを用いる表示装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：原謙三 , 木島隆一 , 金子一郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003003709
公開番号（公開出願番号）：WO2003-098699
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2003年11月27日
要約：

逆スタガー型のMOSFET(1)において、酸化亜鉛から成り、前記半導体層であるチャネル層(5)に対するゲート絶縁層(4)を、アモルファス状の酸化アルミニウムで形成する。このような構造とすることで、チャネル層(5)とゲート絶縁層(4)との界面での欠陥準位が低減され、総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることができる。そして、このような手法は、順スタガー型のMOSFET等にも適用することができ、汎用性も高い。

請求項（抜粋）：

半導体層がII族酸化物を含む半導体装置において、前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムが積層されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/338 , H01L29/812

FI (4件)：

H01L29/78 618B , G02F1/1368 , H01L29/78 617T , H01L29/80 B

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