特許

J-GLOBAL ID：200903003701655707

窒化珪素薄膜の形成方法

発明者： 片桐 智治
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-073941
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274089
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 水素含有量の少ないp-SiN膜を作成する窒化珪素薄膜の形成方法を提供する。【構成】 PECVD法において、赤外半導体レーザ分光法を用いてアンモニアの分解量をモニタする。そして、アンモニアの分解量が4%以上10%以下となるように制御を行って、窒化珪素薄膜を形成する。この結果、しきい値電圧の変動は0.05ボルト以下となることが期待される。すなわち、ホット・キャリア耐性が高いデバイスが製造可能である。

請求項（抜粋）：

少なくともシラン、アンモニア、窒素を原料として用いて、プラズマ促進化学気相成長法によって窒化珪素薄膜を成長させる方法において、アンモニアの分解量が4%以上10%以下になるように制御をする制御工程、を含むことを特徴とする窒化珪素薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C