特許
J-GLOBAL ID：200903003707720381
窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163884
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017277
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 横方向の電流および発光領域の制限が良好な、内部狭窄型窒化物系半導体レーザ装置を実現する。【解決手段】 基板上に、少なくとも、第1導電型第1クラッド層、共振器方向に延伸したストライプ状開口部を備える電流阻止層、第1導電型第2クラッド層、窒化物系半導体からなる活性層、及び第2導電型クラッド層がこの順で積層され、 前記ストライプ状開口部による凹凸形状が少なくとも前記活性層に反映されてなる窒化物系半導体レーザ装置の構成とすることで、上記課題が解決できる。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、第1導電型第1クラッド層、共振器方向に延伸したストライプ状開口部を備える電流阻止層、第1導電型第2クラッド層、窒化物系半導体からなる活性層、及び第2導電型クラッド層がこの順で積層され、前記ストライプ状開口部による凹凸形状が少なくとも前記活性層に反映されてなることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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