特許

J-GLOBAL ID：200903003709726646

インダクタ、モノリシックマイクロ波集積回路及びその製造方法

発明者： 田村 彰良 ,  小俣 雄二 ,  鳥井 秀雄 ,  藤井 映志
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225113
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153912
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 高インダクタンスを有し占有面積が縮小されたインダクタ及び該インダクタを搭載したMMICを提供する。【構成】 MMIC20は、インダクタ22とMESFET21とを半絶縁性基板23上に搭載している。インダクタ22は、所定の形状を有する導体層36と、導体層36に付設されたニッケル-亜鉛-フェライト軟磁性薄膜からなる軟磁性層37とで構成されている。ニッケル-亜鉛-フェライト軟磁性薄膜はスピネル構造を有し、高い初透磁率を示すので、軟磁性層と導体層とを積層したインダクタ22は高いインダクタンスを有する。したがって、インダクタ22の占有面積を低減し得る。特に軟磁性層37を形成する際、レーザーアブレーション法又はプラズマMOCVD法を用いることで、低温条件でMESFET21の特性を害することなく、良好なスピネル構造を得ることができる。

請求項（抜粋）：

モノリシックマイクロ波集積回路に用いられるインダクタであって、該インダクタは、上記モノリシックマイクロ波集積回路内の信号を授受するための入出力端部を有し所定のパターンで形成された導体層と、該導体層に付設されたニッケル-亜鉛-フェライト軟磁性薄膜からなり、上記導体層に流れる電流の変化に応じた誘導起電力を生ぜしめる少なくとも1つの軟磁性層とを備えたことを特徴とするインダクタ。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822