半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-127832
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314849
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】接合界面において価電子帯または伝導帯に大きな不連続が存在するp-p接合またはn-n接合を有する場合に、接合に対する正孔または電子の透過率を大きくし、接合に電流を流しやすくする。【構成】 p型ZnSeコンタクト層とp型ZnTeコンタクト層との接合においてp型ZnSeコンタクト層側に形成される空乏層内に、p型ZnTe層およびp型ZnSe層をそれぞれ量子井戸層および障壁層とする多重量子井戸層を設け、それぞれの量子井戸層の量子準位を互いにほぼ一致させ、かつこれらの量子準位をp型ZnSeコンタクト層およびp型ZnTeコンタクト層の価電子帯の頂上のエネルギーとほぼ一致させる。また、この多重量子井戸層のうちのp型ZnTeコンタクト層からp型ZnSeコンタクト層に向かう方向の少なくとも一部分において、(量子井戸層の厚さ)/(量子井戸層の厚さ+障壁層の厚さ)の値を増加させる。

請求項１：

互いに導電型が同一の第1の半導体と第2の半導体との接合を有し、上記第1の半導体および上記第2の半導体がp型である場合には上記接合の界面において上記第1の半導体の価電子帯の頂上のエネルギーは上記第2の半導体の価電子帯の頂上のエネルギーよりも低く、上記第1の半導体および上記第2の半導体がn型である場合には上記接合の界面において上記第1の半導体の伝導帯の底のエネルギーは上記第2の半導体の伝導帯の底のエネルギーよりも高い半導体装置において、上記第1の半導体側に形成される上記接合の空乏層内に上記第2の半導体から成る量子井戸層および上記第1の半導体から成る障壁層を有する多重量子井戸層が設けられ、上記第1の半導体および上記第2の半導体がp型である場合にはそれぞれの上記量子井戸層の厚さはそれぞれの上記量子井戸層の量子準位が上記第1の半導体および上記第2の半導体の価電子帯の頂上のエネルギーとほぼ等しくなるように設定され、上記第1の半導体および上記第2の半導体がn型である場合にはそれぞれの上記量子井戸層の厚さはそれぞれの上記量子井戸層の量子準位が上記第1の半導体および上記第2の半導体の伝導帯の底のエネルギーとほぼ等しくなるように設定されているとともに、上記多重量子井戸層のうちの上記第2の半導体から上記第1の半導体に向かう方向の少なくとも一部分において(上記量子井戸層の厚さ)/(上記量子井戸層の厚さ+上記障壁層の厚さ)の値が上記第2の半導体から上記第1の半導体に向かう上記方向に向かって増加していることを特徴とする半導体装置。

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