半導体結晶層選択成長法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345592
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177044
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】半導体結晶基板上にマスク層を形成し、次に、半導体結晶基板上にマスク層をマスクとして、不純物を導入しているまたはしていない半導体結晶層をエピタキシャル成長させる半導体結晶層選択成長法において、半導体結晶基板上に半導体結晶層を形成するとき、マスク層上に半導体結晶層を構成している元素の酸化物を含む多結晶粒が不必要に高密度に形成されないようにする。【構成】上記半導体結晶層選択成長法において、マスク層として、半導体結晶層が不純物を導入している場合、半導体結晶層を構成している元素及び半導体結晶層に導入されている不純物の元素中最も大きな酸化力を有する元素と同等以上の酸化力を有する元素の酸化物でなり、半導体結晶層が不純物を導入していない場合、半導体結晶層を構成している元素中最も大きな酸化力を有する元素と同等以上の酸化力を有する元素の酸化物でなるマスク層を用いる。

請求項（抜粋）：

半導体結晶基板上に、マスク層を形成する工程と、その工程後、上記半導体結晶基板上に、上記マスク層をマスクとして、不純物を導入しているまたは導入していない半導体結晶層をエピタキシャル成長させる工程をとることによって、上記半導体結晶層を、上記半導体結晶基板の上記マスク層を形成していない領域に選択的に成長させる工程とを有する半導体結晶層選択成長法において、上記マスク層として、上記半導体結晶層が上記不純物を導入している場合、上記半導体結晶層を構成している元素及び上記半導体結晶層に導入されている不純物の元素中最も大きな酸化力を有する元素と同等以上の酸化力を有する元素の酸化物でなり、上記半導体結晶層が上記不純物を導入していない場合、上記半導体結晶層を構成している元素中最も大きな酸化力を有する元素と同等以上の酸化力を有する元素の酸化物でなるマスク層を用いることを特徴とする半導体結晶層選択成長法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-196542
特開昭64-057722

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