高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-123045
公開番号（公開出願番号）：特開2007-291397
出願日： 2007年05月08日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【解決手段】下記式(1m)、(1p)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。(R1、R2はH、F、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R3はF、又は直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基、R4は炭素数6〜20の少なくとも1つの環状構造を持つ酸不安定基である。)【効果】レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下の波長における感度が優れている上に、透明性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有する。【選択図】なし

請求項１：

下記一般式(1m)、(1p)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。

IPC (3件)：

C08F 220/22 , G03F 7/039 , C08F 212/02

FI (3件)：

C08F220/22 , G03F7/039 601 , C08F212/02

Fターム (33件)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 4J100AB07Q , 4J100AL26P , 4J100AR11Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA10Q , 4J100BA22Q , 4J100BB17Q , 4J100BB18Q , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC53Q , 4J100CA04 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (13件)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050264 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (2件)

ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-254106 出願人：住友化学工業株式会社
ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-202298 出願人：富士写真フイルム株式会社

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