化学気相堆積膜のその場での堆積後表面パッシベーション方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-580240
公開番号（公開出願番号）：特表2002-529912
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2002年09月10日
要約：

【要約】チタン層を被覆するために反応チャンバにおいて基板上に堆積されたチタン層をパッシベーションすることにより、堆積プロセスの副生成物や周囲酸素や同様の反応物質による汚染の可能性を低減させる方法である。この方法は、水素の流れと窒素の流れをチャンバに加えるステップを含む。水素と窒素の流れは、約800sccmであり、それぞれ約10から30秒間続く。この方法は、約10秒間チャンバに窒素プラズマを形成するステップをさらに含み、この場合、水素および窒素の流れはそれぞれ約8秒間続く。プラズマは、RF電力をチャンバ内に位置する電極に印加するか、またはリモートプラズマ源により形成されて、リアクタチャンバに送られる。また、パッシベーション層は、同じRF電力レベルで約10から30秒間窒素プラズマのみを用いて形成されてよい。いずれの場合も、プラズマは水素とアルゴンをさらに含んでよく、チタン層はCVDにより堆積されたものである。

請求項（抜粋）：

反応チャンバにおいて基板上に堆積されたチタン層をパッシベーションする方法であって、 (A)水素の流れと窒素の流れを前記チャンバに加えるステップを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 16/56

FI (3件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , C23C 16/56

Fターム (14件)：

4K030AA03 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA18 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB14 , 4M104BB30 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD86 , 4M104FF16

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