特許
J-GLOBAL ID：200903003726885510
半導体装置の製造方法、製造装置、および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192534
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039756
出願日： 2002年07月01日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】半導体素子を異方性導電膜を介してインターポーザ基板上に実装する際に、半導体素子の周縁部からはみ出した異方性導電膜が硬化する際の収縮によってインターポーザ基板の周縁部が半導体素子側に反るように変形するのを防止する。【解決手段】実装のためのステージ14の半導体素子16の周縁部の外側と対応する領域に吸引溝21を形成しておき、この吸引溝21によってインターポーザ基板11を吸引しながら異方性導電膜15によって半導体素子16をインターポーザ基板11上に実装する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板をステージ上に配し、接着固定材料を介して半導体素子を基板上にマウントするようにした半導体装置の製造方法において、
前記基板の前記半導体素子の周縁の近傍であって前記接着固定材料が前記半導体素子の周縁からはみ出す部分と対応する領域を前記ステージ側に吸着して前記接着固定材料を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/60 311T
, H01L21/60 311S
, H01L23/12 501B
