Cu-In積層膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：綿貫隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059804
公開番号（公開出願番号）：特開2002-256478
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】めっき対象物の被めっき面に、Cu層とIn層とが交互に形成されて成るCu-In積層膜は太陽電池に使用されているが、これを電解めっきによって製造する際に、インジウムの再溶出を防止する。【解決手段】めっき浴として、インジウムイオンを供給するインジウム化合物、銅イオンを供給する銅化合物及びクエン酸化合物が配合され、且つ実質的にインジウムから成るIn層を形成し得る量のインジウム化合物が配合されているめっき浴を用い、前記めっき対象物に、前記インジウムイオンが還元して析出する電位VInと、銅イオンが還元して析出する電位VCuとを交互にパルス状に印加するパルスめっきを施し、電位VInから電位VCuに移行する際に、前記被めっき面に析出したインジウムが溶出することなく銅が析出し得る電位(VO)に一旦保持した後、電位VCuに移行することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

めっき対象物の被めっき面に、Cu層とIn層とが交互に形成されて成るCu-In積層膜を電解めっきによって製造する際に、該めっき対象物に電解めっきを施すめっき浴として、インジウムイオンを供給するインジウム化合物、銅イオンを供給する銅化合物及びクエン酸化合物が配合され、且つ実質的にインジウムから成るIn層を形成し得る量のインジウム化合物が配合されているめっき浴を用い、前記めっき対象物に、前記インジウムイオンが還元して析出する電位VINと、銅イオンが還元して析出する電位VCuとを交互にパルス状に印加するパルスめっきを施し、前記電位VINから電位VCuに移行する際に、前記被めっき面に析出したインジウムが溶出することなく銅が析出し得る電位に一旦保持した後、電位VCuに移行することを特徴とするCu-In積層膜の製造方法。

IPC (7件)：

C25D 5/18 , C25D 3/38 , C25D 3/54 , C25D 5/10 , C25D 7/00 , C25D 21/12 , H01L 31/04

FI (7件)：

C25D 5/18 , C25D 3/38 , C25D 3/54 , C25D 5/10 , C25D 7/00 Y , C25D 21/12 K , H01L 31/04 E

Fターム (23件)：

4K023AA19 , 4K023AA30 , 4K023BA06 , 4K023CB05 , 4K023DA07 , 4K024AA01 , 4K024AA09 , 4K024AB04 , 4K024AB15 , 4K024AB19 , 4K024BA04 , 4K024BA15 , 4K024BB27 , 4K024CA01 , 4K024CA07 , 4K024CB05 , 4K024CB24 , 4K024GA16 , 5F051AA07 , 5F051BA14 , 5F051FA02 , 5F051FA06 , 5F051GA03

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